Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия) fab_trap
Планарные чипы с РЧ/DC-электродами, удерживающие и перемещающие ионы; изготавливаются на МЭМС-линиях или, всё чаще, на пластинах контрактных полупроводниковых фабрик.
Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия)
МЭМС/КМОП-ловушки: Helios 1 228 электродов / 273 сигнала; чипы Oxford Ionics с обычных полупроводниковых фабрик; SkyWater внутри IonQ.
Обзор →Ключевые источники
Пространство проектирования — атрибуты
- (a) сродство носителя
- естественный
- (b) время · запутывание
- —
- (c) считывание
- —
- (d) подвижность
- —
- (e) управление
- —
- (f) структура ошибки
- когерентная / калибровочная
- (g) производство
- МЭМС / планарные ловушки
Пространство оценки — датированные атрибуты
Стандартные рекорды
Участники и цели — аннотации
Рёбра
Используют 30 машин (26 основная · 4 альтернатива)
- ионы в ловушках 30
- IBEX Q1 (Marmot / PINE) Alpine Quantum Technologies страница продукта ▤ §III.A.1 Ion trap and vacuum apparatus (blade trap machined from gold-plated titanium) ✅
- AQT LYNX Alpine Quantum Technologies пресса пресса ◌ 🔎
- JION eleQtron + Forschungszentrum Julich пресса ◌ 🔎
- QSea I (DLR QCI ion-trap demonstrator) eleQtron with NXP Semiconductors and ParityQC, for the DLR Quantum Computing Initiative пресса пресса ссылка ▨ 🔎
- Aria IonQ страница продукта ▤ Introduction ('microfabricated surface electrode trap') 🔎
- 40-ion Ba-133 qLDPC testbed (IonQ: a Tempo engineering test system) IonQ пресса пресса ◌ 🔎
- Forte / Forte Enterprise IonQ статья страница продукта пресса ▣ Fig. 1(d) (in-house surface ion trap); §2 ✅
- QUARTET Oxford Ionics (IonQ) пресса ▤ §II Architecture ('standard microfabrication and packaging processes', 'established foundry processes') 🔎
- Tempo IonQ страница продукта страница продукта блог ◌ 🔎
- PIAST-Q Poznan Supercomputing and Networking Center (PCSS) ◌ 🔎
- System Model H1 (H1-1) Quantinuum блог пресса ◌ 🔎
- System Model H2 (H2-1, H2-2) Quantinuum статья статья статья ▤ §II (surface-electrode trap); Acknowledgments (trap fabricated by Honeywell) 🔎
- Helios Quantinuum статья статья статья ▤ §QPU architecture and ion trap design 🔎
- Helix architecture on Helios Quantinuum статья ◌ 🔎
- Sol Quantinuum блог ◌ 🔎
- Montage (first-generation QaaS system, up to 50 qubits) Quantum Art страница продукта ◌ 🔎
- Perspective (1,000-qubit multi-core system) Quantum Art пресса ◌ 🔎
- Aba|Qu 1.0 (Tiansuan-1, 天算1号) Qudoor (Guokaike) пресса пресса ▨ §Qudoor (full-stack development spans ion trap chips) ✅
- XAPHIRO (QUDORA 50-qubit NFQC prototype for the DLR Quantum Computing Initiative) QUDORA Technologies ▤ §Results and discussion (trap fabricated at PTB cleanroom, single-layer method, AlN substrate, ~10 µm Au, 5 µm gaps) ✅
- 70-qubit ion quantum computer (FIAN / Rosatom roadmap) Lebedev Physical Institute (FIAN) and the Russian Quantum Center, Rosatom roadmap ◌ 🔎
- QSCOUT (Quantum Scientific Computing Open User Testbed) Sandia National Laboratories статья статья страница продукта ▦ ✅
- 2-D site-resolved ion simulator Tsinghua University (Duan group) статья статья ▤ Supp. §I.A Monolithic 3D ion trap; §I.D Trap parameters ✅
- University of Innsbruck trapped-ion demonstrator (Institut für Experimentalphysik) University of Innsbruck статья статья статья ◌ 🔎
- Innsbruck trapped-ion analog quantum simulator (up to 51 ions) IQOQI Innsbruck (Austrian Academy of Sciences) with the University of Innsbruck (M. Joshi, C. Roos) статья пресса ▤ App. B (Experimental platform) ✅
- Maryland / Duke Quantum Center (EURIQA lineage) University of Maryland / Duke University статья статья ▤ Methods: Experimental implementation ✅
- iQPU / UQConnect Universal Quantum пресса ▨ 🔎
- IonQ Superion 10K IonQ пресса ◌ 🔎 (альтернатива)
- Superion 256 IonQ пресса пресса ◌ 🔎 (альтернатива)
- Apollo Quantinuum блог ◌ 🔎 (альтернатива)
- NFQC-1k QUDORA Technologies-led consortium (TU Braunschweig, Leibniz University Hannover, PTB, Forschungszentrum Jülich, NXP Semiconductors Germany, AQT Germany) пресса ◌ 🔎 (альтернатива)
Иллюстрации
У каждой иллюстрации — рассказ о том, что на ней, и строка авторства.



Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия)
Планарные чипы с РЧ/DC-электродами, удерживающие и перемещающие ионы; изготавливаются на МЭМС-линиях или, всё чаще, на пластинах контрактных полупроводниковых фабрик.
Вердикт. Фальсифицируемо — если до конца 2027 г. ни один поставщик не опубликует данные по нагреву или выходу годных на уровне пластины, изготовление ловушек останется ремеслом, а риск срыва графика Sol/Apollo будет лежать в числе сигналов и корпусировании, а не в физике вентилей.
Λ = коэффициент подавления ошибки на шаг кодового расстояния; QBI = DARPA Quantum Benchmarking Initiative (Stage A — концепция → B — план НИОКР → C — государственная V&V); G1–G7 = классы целей отчёта (см. «Участники и экономика»).
Сущность и происхождение
Ловушка с планарными электродами разворачивает ловушку Пауля в одну литографическую плоскость — электроды лежат рядом друг с другом, ион удерживается на высоте в десятки микрометров над ними, — так что геометрия ловушки сводится к топологии маски. NIST продемонстрировал её в 2006 г., удерживая ²⁴Mg⁺ примерно в 40 µm над планарным золотом и напрямую измерив скорость нагрева D[806]. Рядом с ней сохраняется механически изготовленная 3-D ловушка: ловушка Pine от AQT состоит из четырёх лезвийных электродов и двух торцевых, выточенных из позолоченного титана и закреплённых на держателе из оксида алюминия; лезвия отстоят от оси ловушки на 0.57 mm D[253]. Это слой под ионным носителем: он фиксирует число электродов, геометрию зон и переходов, а также химию поверхности над собой.
Атрибуты: сродство к носителю a = 0.0, естественный — обслуживаемый носитель есть ион; сама ловушка изготавливается, но изготовление ловушек по технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС) — умолчание естественных носителей, поэтому технология стоит в естественной половине карты. Производство g = МЭМС-литография, переходящая на контрактные полупроводниковые линии 6–12 дюймов C[320].
Физика и пределы
Предел задаёт аномальный шум электрического поля с поверхности электродов, а не литографическое разрешение. В диапазоне высот иона 30–3 000 µm он спадает примерно как d⁻⁴ D[807]: уменьшение высоты вдвое ради более плотной укладки зон обходится в ~16× по нагреву. Нагрев переходит в ошибку вентиля, поскольку запутывающие вентили опираются на общую колебательную моду в течение десятков-сотен микросекунд, и вынуждает повторно охлаждать ион между шагами транспорта. Этот шум связан со слоем адсорбата, а не с объёмным свойством материала: охлаждение золотых ловушек до 6 K подавило нагрев примерно на 7 порядков D[808]; бомбардировка ионами аргона снизила его в 100 раз на уже чистой ловушке D[809]. Структура ошибки, которую видит код, когерентна и коррелирована — паразитный заряд на диэлектрических зазорах даёт микродвижение и дрейф фазы, общие для всей зоны, а один оборванный электрод убивает эту зону целиком. Что сдвигает предел: ниобиевые электроды, очистка в вакууме, экранированный диэлектрик, криогеника по умолчанию.
Достигнутый инженерный уровень
таблица
| Год | Показатель | Кто | Тег+ключ |
|---|---|---|---|
| 2006 | ²⁴Mg⁺ на высоте ~40 µm над планарным золотом; первое измерение нагрева | NIST | D[806] |
| 2012 | Снижение шума поля в 100×, очистка ионами аргона in situ | NIST | D[809] |
| 2025-10 | Ошибка двухкубитного вентиля 8.4×10⁻⁵, без лазеров, чип коммерческой фабрики | Oxford Ionics | D[102] |
| 2025-11 | 1 228 электродов, 273 независимых сигнала, 8 зон | Quantinuum | D[97] |
Чип Helios — самая крупная ловушка, работающая в составе поставленной системы; большинство групп по-прежнему используют заказные ловушки с десятками — до ~100 — электродов. Никто не публикует выход годных, долю дефектов или стоимость одной ловушки, поэтому у слоя нет публичной метрики качества, а измеряемая ошибка по-прежнему определяется нагревом, микродвижением и нагрузкой калибровки, а не литографическими дефектами.
Производство, материалы и цепочка поставок
Две линии происхождения. Исследовательские МЭМС-линии (комплекс MESA в Sandia, GTRI, университетские чистые комнаты) наносят золото или ниобий на сапфир, плавленый кварц или окисленный кремний в штучных объёмах G[501]. Живой сдвиг — контрактное изготовление: платформа Infineon в Villach обрабатывает пластины 6–12 дюймов с анодным сращиванием для Oxford Ionics, eleQtron C[129], Innsbruck и ETH Zurich; для её электродов Gen-3 с выносом из плоскости заявлено ~10× по удержанию, а скорость нагрева не опубликована C[320]. Honeywell изготавливает ловушки Quantinuum внутри группы, включая сеточную ловушку Sol R[118]; IonQ 2026-07-31 закрыла сделку по SkyWater ради проектирования, изготовления и корпусирования на линиях в США C[19]. Infineon — единая точка отказа: одна контрактная фабрика, несколько заказчиков, второй источник не назван. Экспортная уязвимость умеренная: правило BIS от 2024-09-06 перечисляет квантовые компьютеры (4A906) и электронику для температур ниже 4.5 K (3A901), но ни один ECCN не называет ловушки G[301].
Управление, считывание и нагрузка на ввод-вывод
Ловушка задаёт нижнюю границу по разводке ещё до того, как появится хоть одна оптическая или СВЧ-линия: 273 независимых сигнала на 98 ионов, 2.8 на кубит, только ради удержания и транспорта D[97], и каждый из них — это канал ЦАП, фильтр и вакуумный ввод. При таком отношении 10³ ионов требуют ~3 000 линий постоянного напряжения, что выходит за практически достижимое число вводов, а 10⁶ невозможны без коммутации под самой ловушкой. Опубликованный выход — коммутация на кристалле: схема WISE от Oxford Ionics управляет 1 000 полносвязных ионов от ~200 источников, но чип не изготовлен и бюджет рассеиваемой мощности не приведён S[325].
Роль в стеке
Этот слой лежит под всеми тремя ионными архитектурами — QCCD (Quantinuum), линейной ловушкой Пауля с лазерной адресацией (IonQ, AQT, Quantum Art P[125]) и электронными вентилями с управлением на кристалле (IonQ/Oxford Ionics, eleQtron) — и даёт носитель, геометрию переходов и сетки, а также проводники для интегрированного на чипе СВЧ-управления. Он заменяет заказную МЭМС-технологию изготовлением на фабрике, а платой за это становятся квалификация по проектным нормам и по сверхвысокому вакууму и повторные измерения нагрева, но не физика. Его вклад в такт косвенный и большой: производный такт = сумма раунда синдрома: слои вентилей + транспорт + считывание + сброс, а транспорт даёт 9.0 ms из 9.7 ms раунда, выведенного для QCCD, против вентиля ~70 µs D[97]; по измерениям на H2 транспорт занимал в среднем 60% времени схемы D[110], — поэтому число зон и качество переходов покупают больше такта, чем скорость вентиля. Соседнего пустого слота в графе технологий нет.
Свидетельства — как измерены числа
Числа электродов и сигналов сообщены самими поставщиками и не аудированы. Нагрев публикуется для отдельной ловушки в одной рабочей точке и никогда — как распределение по пластине или партии, и ни один поставщик не раскрывает выход годных. Вентиль с ошибкой 8.4×10⁻⁵ — это измерение на двух ионах без охлаждения в основное состояние, а не среднее по парку систем, и он не воспроизведён внешне по состоянию на 4 сентября 2026 г. D[102]. Датированных споров между поставщиками по поводу заявлений об изготовлении не обнаружено.
Ни один ECCN не называет ионные ловушки, и ни одно консультативное заключение BIS не относит голый кристалл ионной ловушки к 4A906 или за его пределы. Не опубликовано: доля дефектов и стоимость одной ловушки — ни IonQ, ни Quantinuum, ни Infineon, ни AQT, ни eleQtron по состоянию на 2026-09-04; изготовила ли Infineon кристалл, на котором получен результат 8.4×10⁻⁵, — связь Oxford Ionics и Infineon заявлена лишь на уровне компаний; скорость нагрева для внеплоскостных электродов Gen-3 у Infineon, поэтому их ~10-кратный выигрыш в удержании не измерен.
Участники и экономика
Кто.
| Организация | Роль | Страна | Что именно делает с технологией | Свидетельство |
|---|---|---|---|---|
| IonQ | разработчик | США | Владеет дизайн-центром ловушек и фабрикой в США | C[19] |
| Oxford Ionics | разработчик | Великобритания | Чипы ловушек с электронными вентилями на линиях коммерческих фабрик | D[102] |
| Infineon Technologies | поставщик | Австрия | Коммерческое производство ловушек, Villach, пластины 6–12 дюймов | C[320] |
| SkyWater Technology | поставщик | США | Фабрика в США, восемь заказов квантовых компаний в 2025 г., принадлежит IonQ с 2026-07-31 | G[576]C[19] |
| Quantinuum | разработчик | США | Эксплуатирует ловушку на 1 228 электродов; Sol в валидации | D[97] |
Деньги.
- 2025-09-17 · IonQ · M&A (Oxford Ionics) · $1.075 B · — · сделка закрыта факт
- 2026-07-31 · IonQ · M&A (SkyWater) · ~$1.8 B ($15.00 денежными средствами + 0.4883 акции IonQ за акцию) · — · сделка закрыта C[19]факт
- 2026-02-25 · SkyWater · итоги FY2025 (год по 2025-12-28) · выручка $442.1 M, валовая маржа 19.7% по GAAP, выручка по квантовым заказам +30% год к году · отчёт подан G[576]
- 2025-11-06 · DARPA · QBI Stage B (IonQ, Quantinuum — из одиннадцати) · ≤$15 M каждому · объявлено G[65]факт
Рынок и цепочка поставок. Обеспечивающее оборудование — это обычные полупроводниковые капитальные вложения плюс детали сверхвысокого вакуума, и ничто из этого не сконцентрировано; концентрация сидит в фабрике — Infineon как контрактная, Honeywell как внутренняя, Sandia только исследовательская, плюс меморандум о взаимопонимании IonQ–Sandia по совместному проектированию от 2026-08-04 C[584]. Удельная экономика ловушки не опубликована; ближайшая доступная цифра — валовая маржа SkyWater 19.7% по GAAP при выручке $442.1 M за FY2025 G[576]. За этот слой платят G3 и G4, за стоечные модули — G7.
Интеллектуальная собственность и стандарты. Обзор PatSnap 2026 г. называет ключевой интеграционной интеллектуальной собственностью патентные семейства MIT Lincoln Laboratory по интегрированным на кристалле источникам напряжения и по фотонике (2016, 2019), а также криогенную совместно изготавливаемую оптику ETH Zurich (2020), при этом отдельного счёта патентов именно по изготовлению ловушек не приводится P[375]. Ключевая архитектура разводки опубликована, а не огорожена S[325]; судебных разбирательств нет, стандарта приёмки нет.
Дорожные карты и послужной список. Quantinuum: Sol на сеточной ловушке производства Honeywell (обещано 2024-09-10 · на 2027 · в валидации по состоянию на 2026-09-03) R[118]; Helios поставлен в срок, поэтому доверие к обещаниям, связанным с изготовлением, высокое. IonQ: SkyWater (обещано 2026-01-26 · на Q2–Q3 2026 · сделка закрыта 2026-07-31) C[19], однако 10 000 ионов на одном чипе в 2027 г. не опираются ни на одну опубликованную цифру по нагреву или выходу годных для 2D-ловушки, а дорожная карта 2020 г. промахнулась по числу на 2026 г. примерно в 40×.
Стратегическое прочтение. Если изготовление на фабрике сработает, различие между игроками сместится с ремесла изготовления ловушек на управляющую электронику, корпусирование и коды. Выигрывают: IonQ, снимающая зависимость от чужой фабрики; Quantinuum, уже обеспеченный внутренним производством; Infineon, забирающий объёмы всех остальных. Проигрывают: линии национальных лабораторий теряют монополию. Угроза замещения — не конкурирующая ловушка, а такт: изготовление не исправит время слоя, которое в 10³–10⁵× медленнее сверхпроводникового, если только оно не размножит зоны. Власть находится у фабрики; IonQ купила её — и несёт её валовую маржу ~20%.
Перспективы и открытые вопросы
Подтвердить или понизить к концу 2027 г.: удерживает ли ионы ловушка производства SkyWater в поставленной системе; проходит ли Sol валидацию в срок при 1 200+ электродах в 2D; публикует ли кто-нибудь выход годных или распределение нагрева по пластине. В лучшем случае к 2029 г.: пластины с ловушками от контрактных фабрик, снабжённые опубликованными данными приёмки, и коммутация, снижающая число сигналов на ион в пять раз. В худшем случае: число электродов выходит на полку около 10³, потому что стеной оказываются вакуумные вводы и каналы ЦАП, а более плотная 2D-геометрия повышает нагрев настолько, что сдвигает Apollo вправо. Открытые вопросы: сохранит ли 2D-сетка скорость нагрева линейной ловушки; можно ли вести коммутацию при 4 K в пределах бюджета рассеиваемой мощности; останется ли Infineon контрактной фабрикой.
Литература
- [19] IonQ, “IonQ Completes Acquisition of SkyWater Technology,” Jul. 31, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/
news/ [C]ionq-completes-acquisition-of-skywater-technology - [65] DARPA, “Stage B selection,” Nov. 6, 2025. [Online]. Available: https://www.darpa.mil/
research/ [G]programs/ quantum-benchmarking-initiative/ stage-b-selection - [97] A. Ransford et al., “A 98-qubit trapped-ion quantum computer with all-to-all connectivity,” Nature, vol. 655, no. 8121, pp. 81–86, Jun. 2026, doi: 10.1038/s41586-026-10676-4. arXiv:2511.05465. [D]
- [102] A. C. Hughes et al., “Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-state cooling,” arXiv:2510.17286, Oct. 2025. [D]
- [110] S. A. Moses et al., “A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor,” Phys. Rev. X, vol. 13, Art. no. 041052, Dec. 2023, doi: 10.1103/PhysRevX.13.041052. arXiv:2305.03828. [D]
- [118] Quantinuum, “Quantinuum Unveils Accelerated Roadmap to Achieve Universal, Fully Fault-Tolerant Quantum Computing by 2030,” Sep. 10, 2024. [Online]. Available: https://www.quantinuum.com/
press-releases/ [R]quantinuum-unveils-accelerated-roadmap-to-achieve-universal-fault-tolerant-quantum-computing-by-2030 - [125] M. Abdel-Kareem, “Quantum Art Extends Series A to $140M to Scale Trapped-Ion Architecture,” Quantum Computing Report, Apr. 27, 2026. [Online]. Available: https://quantumcomputingreport.com/
quantum-art-extends-series-a-to-140m-to-scale-trapped-ion-architecture/ [P] - [129] A. Cordes, “Quantum computing scale-up eleQtron secures €57 million in one of the largest Series A funding rounds worldwide,” eleQtron, May 5, 2026. [Online]. Available: https://eleqtron.com/
en/ [C]quantum-computing-scale-up-eleqtron-secures-57-million-in-one-of-the-largest-series-a-funding-rounds-worldwide/ - [253] I. Pogorelov et al., “Compact Ion-Trap Quantum Computing Demonstrator,” PRX Quantum, vol. 2, no. 2, Art. no. 020343, Jun. 2021, doi: 10.1103/PRXQuantum.2.020343. arXiv:2101.11390. [D]
- [301] US Department of Commerce, Bureau of Industry and Security, “Commerce Control List Additions and Revisions; Implementation of Controls on Advanced Technologies Consistent With Controls Implemented by International Partners,” Federal Register, vol. 89, p. 72926, Sep. 6, 2024. [Online]. Available: https://www.federalregister.gov/
documents/ [G]2024/ 09/ 06/ 2024-19633/ commerce-control-list-additions-and-revisions-implementation-of-controls-on-advanced-technologies - [320] Infineon Technologies AG, “Trapped ion quantum computing.” [Online]. Available: https://www.infineon.com/
promo/ [C]trapped-ions - [325] M. Malinowski, D. Allcock, and C. Ballance, “How to Wire a 1000-Qubit Trapped-Ion Quantum Computer,” PRX Quantum, vol. 4, no. 4, Art. no. 040313, Oct. 2023, doi: 10.1103/PRXQuantum.4.040313. arXiv:2305.12773. [S]
- [375] PatSnap, “Trapped Ion Quantum Computing: Technology Landscape 2026,” Apr. 23, 2026. [Online]. Available: https://www.patsnap.com/
resources/ [P]blog/ rd-blog/ trapped-ion-quantum-computing-2026-patsnap-eureka/ - [501] T. Rummler, “In the Mountain West, a quantum computing collaboration announces major results,” Sandia Lab News, Aug. 27, 2026. [Online]. Available: https://www.sandia.gov/
labnews/ [G]2026/ 08/ 27/ in-the-mountain-west-a-quantum-computing-collaboration-announces-major-results/ - [576] SkyWater Technology, “SkyWater Technology Reports Fourth Quarter and Full Fiscal Year 2025 Results,” U.S. Securities and Exchange Commission, Feb. 2026. [Online]. Available: https://www.sec.gov/
Archives/ [G]edgar/ data/ 1819974/ 000181997426000005/ skyt-20251228xex991.htm - [584] IonQ, “IonQ and Sandia National Laboratories Sign MOU to Accelerate Quantum Co-Design for National Security Applications,” Aug. 4, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/
news/ [C]ionq-and-sandia-national-laboratories-sign-mou-to-accelerate-quantum-co-design-for-national-security-applications - [806] S. Seidelin et al., “Microfabricated Surface-Electrode Ion Trap for Scalable Quantum Information Processing,” Phys. Rev. Lett., vol. 96, no. 25, Art. no. 253003, Jun. 2006, doi: 10.1103/PhysRevLett.96.253003. arXiv:quant-ph/0601173. [D]
- [807] M. Brownnutt, M. Kumph, P. Rabl, and R. Blatt, “Ion-trap measurements of electric-field noise near surfaces,” Rev. Mod. Phys., vol. 87, no. 4, pp. 1419–1482, Dec. 2015, doi: 10.1103/RevModPhys.87.1419. arXiv:1409.6572. [D]
- [808] J. Labaziewicz et al., “Suppression of Heating Rates in Cryogenic Surface-Electrode Ion Traps,” Phys. Rev. Lett., vol. 100, no. 1, Art. no. 013001, Jan. 2008, doi: 10.1103/PhysRevLett.100.013001. arXiv:0706.3763. [D]
- [809] D. A. Hite et al., “100-Fold Reduction of Electric-Field Noise in an Ion Trap Cleaned with In Situ Argon-Ion-Beam Bombardment,” Phys. Rev. Lett., vol. 109, no. 10, Art. no. 103001, Sep. 2012, doi: 10.1103/PhysRevLett.109.103001. arXiv:1112.5419. [D]