← Quantum Technology AtlasТехнологии · Машины · Архитектуры · ОрганизацииEnglishעברית

Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия) fab_trap

Планарные чипы с РЧ/DC-электродами, удерживающие и перемещающие ионы; изготавливаются на МЭМС-линиях или, всё чаще, на пластинах контрактных полупроводниковых фабрик.

Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия)

fab_trap · слой 10 Производство · продемонстрировано · с 2006

МЭМС/КМОП-ловушки: Helios 1 228 электродов / 273 сигнала; чипы Oxford Ionics с обычных полупроводниковых фабрик; SkyWater внутри IonQ.

Обзор →

Ключевые источники

[806] S. Seidelin et al., “Microfabricated Surface-Electrode Ion Trap for Scalable Quantum Infor… · 2006
[253] I. Pogorelov et al., “Compact Ion-Trap Quantum Computing Demonstrator,” PRX Quantum, vol. … · 2021
[320] Infineon Technologies AG, “Trapped ion quantum computing.” [Online]. Available: https://ww…
[809] D. A. Hite et al., “100-Fold Reduction of Electric-Field Noise in an Ion Trap Cleaned with… · 2012
[102] A. C. Hughes et al., “Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-sta… · 2025

Пространство проектирования — атрибуты

(a) сродство носителя
естественный
(b) время · запутывание
—
(c) считывание
—
(d) подвижность
—
(e) управление
—
(f) структура ошибки
когерентная / калибровочная
(g) производство
МЭМС / планарные ловушки

Пространство оценки — датированные атрибуты

Helios trap → 1,228 electrodes, 273 independent signals (2.8 per qubit)
определяет: путь масштабирования · 2025-11 · источник
standard-fab traps → 99.99% 2Q on chips from standard semiconductor fabs
определяет: путь масштабирования · 2025-10 · источник

Стандартные рекорды

выход годных → не опубликовано · типичное
No trap-chip yield published: Helios gives 1,228 electrodes and 273 independent signals but no fraction of chips or electrodes in spec · 2025-11 · источник [D] ⓘ
разброс параметров → не опубликовано · типичное
No electrode or trap-parameter spread published for microfabricated surface traps; Helios quotes only aggregate gate and memory performance · 2025-11 · источник [D] ⓘ

Используют 30 машин (26 основная · 4 альтернатива)

↗ карточка реестра · статья / продукт / пресса: ссылки, где машина названа (атрибуция проверена 20 сентября 2026)

Иллюстрации

У каждой иллюстрации — рассказ о том, что на ней, и строка авторства.

File:Linear-Paul-trap Schindler NJP15.123012.jpg
A three-panel figure: a photograph of a linear blade Paul trap, plus front and side line drawings of its electrodes. It comes from Schindler, Nigg, Monz and co-authors (NJP 15, 123012, 2013) and shows the trap used in the Blatt group's quantum information experiments in Innsbruck; the endcaps are 5 mm apart and the RF blades 1.6 mm. Radio-frequency voltage on the four blades holds ions radially while the tip electrodes confine them along the axis, lining them up as a string of ion qubits. “Linear-Paul-trap Schindler NJP15.123012” by Philipp Schindler et al., commons.wikimedia.org/wiki/File:Linear-Paul-trap_Schindler_N…, CC BY 3.0 (creativecommons.org/licenses/by/3.0/)
File:Sandia-Thunderbird-trap schematic+cross-section NJP15.093018.svg
A two-panel drawing, not a photograph, of the Sandia Thunderbird surface-electrode ion trap: a top view of the electrodes with a 1 mm scale bar, and a cross-section of the fabricated layer stack. Credited to Emily Mount, Jungsang Kim and co-authors (2013-09-13); the file name cites NJP15.093018. Notice the six-rail layout: inner DC rails (blue), 60 μm wide RF rails, segmented outer DC electrodes for holding and moving ions above the chip, and a slot cut through the silicon under the trap site. “Sandia-Thunderbird-trap schematic+cross-section NJP15.093018” by Emily Mount et al., commons.wikimedia.org/wiki/File:Sandia-Thunderbird-trap_sche…, CC BY 3.0 (creativecommons.org/licenses/by/3.0/)
File:Sandia-surface-junction-ion-trap NJP13.075018.jpg
A scanning electron micrograph of a Sandia surface-electrode ion trap with a Y-shaped junction, with an inset fluorescence image of a chain of 7 trapped ions. It comes from D L Moehring, C Highstrete, D Stick and colleagues (2011), cited as NJP 13 075018. Each trap has 47 independent DC electrodes; the RF electrodes are about 42.5 μm wide with 7 μm gaps. Junctions let ions be shuttled between arms, the key step of the quantum charge-coupled device (QCCD) architecture; notice the 100 µm scale bar. “Sandia-surface-junction-ion-trap NJP13.075018” by D L Moehring, C Highstrete, D Stick, K M Fortier, R Haltli, C Tigges and M G Blain, commons.wikimedia.org/wiki/File:Sandia-surface-junction-ion-…, CC BY SA 3.0 (creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0)
fab_trap · слой 10 Производство · центральность 10.9 · продемонстрировано · с 2006 · обновлено 2026-09-30

Изготовление ионных ловушек (планарные чипы; фрезерованные 3D ловушки-лезвия)

Планарные чипы с РЧ/DC-электродами, удерживающие и перемещающие ионы; изготавливаются на МЭМС-линиях или, всё чаще, на пластинах контрактных полупроводниковых фабрик.

Вердикт. Фальсифицируемо — если до конца 2027 г. ни один поставщик не опубликует данные по нагреву или выходу годных на уровне пластины, изготовление ловушек останется ремеслом, а риск срыва графика Sol/Apollo будет лежать в числе сигналов и корпусировании, а не в физике вентилей.

Ключевые источники

Λ = коэффициент подавления ошибки на шаг кодового расстояния; QBI = DARPA Quantum Benchmarking Initiative (Stage A — концепция → B — план НИОКР → C — государственная V&V); G1–G7 = классы целей отчёта (см. «Участники и экономика»).

Сущность и происхождение

Ловушка с планарными электродами разворачивает ловушку Пауля в одну литографическую плоскость — электроды лежат рядом друг с другом, ион удерживается на высоте в десятки микрометров над ними, — так что геометрия ловушки сводится к топологии маски. NIST продемонстрировал её в 2006 г., удерживая ²⁴Mg⁺ примерно в 40 µm над планарным золотом и напрямую измерив скорость нагрева D[806]. Рядом с ней сохраняется механически изготовленная 3-D ловушка: ловушка Pine от AQT состоит из четырёх лезвийных электродов и двух торцевых, выточенных из позолоченного титана и закреплённых на держателе из оксида алюминия; лезвия отстоят от оси ловушки на 0.57 mm D[253]. Это слой под ионным носителем: он фиксирует число электродов, геометрию зон и переходов, а также химию поверхности над собой.
Атрибуты: сродство к носителю a = 0.0, естественный — обслуживаемый носитель есть ион; сама ловушка изготавливается, но изготовление ловушек по технологии микроэлектромеханических систем (МЭМС) — умолчание естественных носителей, поэтому технология стоит в естественной половине карты. Производство g = МЭМС-литография, переходящая на контрактные полупроводниковые линии 6–12 дюймов C[320].

Физика и пределы

Предел задаёт аномальный шум электрического поля с поверхности электродов, а не литографическое разрешение. В диапазоне высот иона 30–3 000 µm он спадает примерно как d⁻⁴ D[807]: уменьшение высоты вдвое ради более плотной укладки зон обходится в ~16× по нагреву. Нагрев переходит в ошибку вентиля, поскольку запутывающие вентили опираются на общую колебательную моду в течение десятков-сотен микросекунд, и вынуждает повторно охлаждать ион между шагами транспорта. Этот шум связан со слоем адсорбата, а не с объёмным свойством материала: охлаждение золотых ловушек до 6 K подавило нагрев примерно на 7 порядков D[808]; бомбардировка ионами аргона снизила его в 100 раз на уже чистой ловушке D[809]. Структура ошибки, которую видит код, когерентна и коррелирована — паразитный заряд на диэлектрических зазорах даёт микродвижение и дрейф фазы, общие для всей зоны, а один оборванный электрод убивает эту зону целиком. Что сдвигает предел: ниобиевые электроды, очистка в вакууме, экранированный диэлектрик, криогеника по умолчанию.

Достигнутый инженерный уровень

таблица
Год Показатель Кто Тег+ключ
2006 ²⁴Mg⁺ на высоте ~40 µm над планарным золотом; первое измерение нагрева NIST D[806]
2012 Снижение шума поля в 100×, очистка ионами аргона in situ NIST D[809]
2025-10 Ошибка двухкубитного вентиля 8.4×10⁻⁵, без лазеров, чип коммерческой фабрики Oxford Ionics D[102]
2025-11 1 228 электродов, 273 независимых сигнала, 8 зон Quantinuum D[97]

Чип Helios — самая крупная ловушка, работающая в составе поставленной системы; большинство групп по-прежнему используют заказные ловушки с десятками — до ~100 — электродов. Никто не публикует выход годных, долю дефектов или стоимость одной ловушки, поэтому у слоя нет публичной метрики качества, а измеряемая ошибка по-прежнему определяется нагревом, микродвижением и нагрузкой калибровки, а не литографическими дефектами.

Производство, материалы и цепочка поставок

Две линии происхождения. Исследовательские МЭМС-линии (комплекс MESA в Sandia, GTRI, университетские чистые комнаты) наносят золото или ниобий на сапфир, плавленый кварц или окисленный кремний в штучных объёмах G[501]. Живой сдвиг — контрактное изготовление: платформа Infineon в Villach обрабатывает пластины 6–12 дюймов с анодным сращиванием для Oxford Ionics, eleQtron C[129], Innsbruck и ETH Zurich; для её электродов Gen-3 с выносом из плоскости заявлено ~10× по удержанию, а скорость нагрева не опубликована C[320]. Honeywell изготавливает ловушки Quantinuum внутри группы, включая сеточную ловушку Sol R[118]; IonQ 2026-07-31 закрыла сделку по SkyWater ради проектирования, изготовления и корпусирования на линиях в США C[19]. Infineon — единая точка отказа: одна контрактная фабрика, несколько заказчиков, второй источник не назван. Экспортная уязвимость умеренная: правило BIS от 2024-09-06 перечисляет квантовые компьютеры (4A906) и электронику для температур ниже 4.5 K (3A901), но ни один ECCN не называет ловушки G[301].

Управление, считывание и нагрузка на ввод-вывод

Ловушка задаёт нижнюю границу по разводке ещё до того, как появится хоть одна оптическая или СВЧ-линия: 273 независимых сигнала на 98 ионов, 2.8 на кубит, только ради удержания и транспорта D[97], и каждый из них — это канал ЦАП, фильтр и вакуумный ввод. При таком отношении 10³ ионов требуют ~3 000 линий постоянного напряжения, что выходит за практически достижимое число вводов, а 10⁶ невозможны без коммутации под самой ловушкой. Опубликованный выход — коммутация на кристалле: схема WISE от Oxford Ionics управляет 1 000 полносвязных ионов от ~200 источников, но чип не изготовлен и бюджет рассеиваемой мощности не приведён S[325].

Роль в стеке

Этот слой лежит под всеми тремя ионными архитектурами — QCCD (Quantinuum), линейной ловушкой Пауля с лазерной адресацией (IonQ, AQT, Quantum Art P[125]) и электронными вентилями с управлением на кристалле (IonQ/Oxford Ionics, eleQtron) — и даёт носитель, геометрию переходов и сетки, а также проводники для интегрированного на чипе СВЧ-управления. Он заменяет заказную МЭМС-технологию изготовлением на фабрике, а платой за это становятся квалификация по проектным нормам и по сверхвысокому вакууму и повторные измерения нагрева, но не физика. Его вклад в такт косвенный и большой: производный такт = сумма раунда синдрома: слои вентилей + транспорт + считывание + сброс, а транспорт даёт 9.0 ms из 9.7 ms раунда, выведенного для QCCD, против вентиля ~70 µs D[97]; по измерениям на H2 транспорт занимал в среднем 60% времени схемы D[110], — поэтому число зон и качество переходов покупают больше такта, чем скорость вентиля. Соседнего пустого слота в графе технологий нет.

Свидетельства — как измерены числа

Числа электродов и сигналов сообщены самими поставщиками и не аудированы. Нагрев публикуется для отдельной ловушки в одной рабочей точке и никогда — как распределение по пластине или партии, и ни один поставщик не раскрывает выход годных. Вентиль с ошибкой 8.4×10⁻⁵ — это измерение на двух ионах без охлаждения в основное состояние, а не среднее по парку систем, и он не воспроизведён внешне по состоянию на 4 сентября 2026 г. D[102]. Датированных споров между поставщиками по поводу заявлений об изготовлении не обнаружено.

Ни один ECCN не называет ионные ловушки, и ни одно консультативное заключение BIS не относит голый кристалл ионной ловушки к 4A906 или за его пределы. Не опубликовано: доля дефектов и стоимость одной ловушки — ни IonQ, ни Quantinuum, ни Infineon, ни AQT, ни eleQtron по состоянию на 2026-09-04; изготовила ли Infineon кристалл, на котором получен результат 8.4×10⁻⁵, — связь Oxford Ionics и Infineon заявлена лишь на уровне компаний; скорость нагрева для внеплоскостных электродов Gen-3 у Infineon, поэтому их ~10-кратный выигрыш в удержании не измерен.

Участники и экономика

Кто.
| Организация | Роль | Страна | Что именно делает с технологией | Свидетельство |
|---|---|---|---|---|
| IonQ | разработчик | США | Владеет дизайн-центром ловушек и фабрикой в США | C[19] |
| Oxford Ionics | разработчик | Великобритания | Чипы ловушек с электронными вентилями на линиях коммерческих фабрик | D[102] |
| Infineon Technologies | поставщик | Австрия | Коммерческое производство ловушек, Villach, пластины 6–12 дюймов | C[320] |
| SkyWater Technology | поставщик | США | Фабрика в США, восемь заказов квантовых компаний в 2025 г., принадлежит IonQ с 2026-07-31 | G[576]C[19] |
| Quantinuum | разработчик | США | Эксплуатирует ловушку на 1 228 электродов; Sol в валидации | D[97] |

Деньги.

  • 2025-09-17 · IonQ · M&A (Oxford Ionics) · $1.075 B · — · сделка закрыта факт
  • 2026-07-31 · IonQ · M&A (SkyWater) · ~$1.8 B ($15.00 денежными средствами + 0.4883 акции IonQ за акцию) · — · сделка закрыта C[19]факт
  • 2026-02-25 · SkyWater · итоги FY2025 (год по 2025-12-28) · выручка $442.1 M, валовая маржа 19.7% по GAAP, выручка по квантовым заказам +30% год к году · отчёт подан G[576]
  • 2025-11-06 · DARPA · QBI Stage B (IonQ, Quantinuum — из одиннадцати) · ≤$15 M каждому · объявлено G[65]факт

Рынок и цепочка поставок. Обеспечивающее оборудование — это обычные полупроводниковые капитальные вложения плюс детали сверхвысокого вакуума, и ничто из этого не сконцентрировано; концентрация сидит в фабрике — Infineon как контрактная, Honeywell как внутренняя, Sandia только исследовательская, плюс меморандум о взаимопонимании IonQ–Sandia по совместному проектированию от 2026-08-04 C[584]. Удельная экономика ловушки не опубликована; ближайшая доступная цифра — валовая маржа SkyWater 19.7% по GAAP при выручке $442.1 M за FY2025 G[576]. За этот слой платят G3 и G4, за стоечные модули — G7.

Интеллектуальная собственность и стандарты. Обзор PatSnap 2026 г. называет ключевой интеграционной интеллектуальной собственностью патентные семейства MIT Lincoln Laboratory по интегрированным на кристалле источникам напряжения и по фотонике (2016, 2019), а также криогенную совместно изготавливаемую оптику ETH Zurich (2020), при этом отдельного счёта патентов именно по изготовлению ловушек не приводится P[375]. Ключевая архитектура разводки опубликована, а не огорожена S[325]; судебных разбирательств нет, стандарта приёмки нет.

Дорожные карты и послужной список. Quantinuum: Sol на сеточной ловушке производства Honeywell (обещано 2024-09-10 · на 2027 · в валидации по состоянию на 2026-09-03) R[118]; Helios поставлен в срок, поэтому доверие к обещаниям, связанным с изготовлением, высокое. IonQ: SkyWater (обещано 2026-01-26 · на Q2–Q3 2026 · сделка закрыта 2026-07-31) C[19], однако 10 000 ионов на одном чипе в 2027 г. не опираются ни на одну опубликованную цифру по нагреву или выходу годных для 2D-ловушки, а дорожная карта 2020 г. промахнулась по числу на 2026 г. примерно в 40×.

Стратегическое прочтение. Если изготовление на фабрике сработает, различие между игроками сместится с ремесла изготовления ловушек на управляющую электронику, корпусирование и коды. Выигрывают: IonQ, снимающая зависимость от чужой фабрики; Quantinuum, уже обеспеченный внутренним производством; Infineon, забирающий объёмы всех остальных. Проигрывают: линии национальных лабораторий теряют монополию. Угроза замещения — не конкурирующая ловушка, а такт: изготовление не исправит время слоя, которое в 10³–10⁵× медленнее сверхпроводникового, если только оно не размножит зоны. Власть находится у фабрики; IonQ купила её — и несёт её валовую маржу ~20%.

Перспективы и открытые вопросы

Подтвердить или понизить к концу 2027 г.: удерживает ли ионы ловушка производства SkyWater в поставленной системе; проходит ли Sol валидацию в срок при 1 200+ электродах в 2D; публикует ли кто-нибудь выход годных или распределение нагрева по пластине. В лучшем случае к 2029 г.: пластины с ловушками от контрактных фабрик, снабжённые опубликованными данными приёмки, и коммутация, снижающая число сигналов на ион в пять раз. В худшем случае: число электродов выходит на полку около 10³, потому что стеной оказываются вакуумные вводы и каналы ЦАП, а более плотная 2D-геометрия повышает нагрев настолько, что сдвигает Apollo вправо. Открытые вопросы: сохранит ли 2D-сетка скорость нагрева линейной ловушки; можно ли вести коммутацию при 4 K в пределах бюджета рассеиваемой мощности; останется ли Infineon контрактной фабрикой.

Литература
  1. [19] IonQ, “IonQ Completes Acquisition of SkyWater Technology,” Jul. 31, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/news/ionq-completes-acquisition-of-skywater-technology [C]
  2. [65] DARPA, “Stage B selection,” Nov. 6, 2025. [Online]. Available: https://www.darpa.mil/research/programs/quantum-benchmarking-initiative/stage-b-selection [G]
  3. [97] A. Ransford et al., “A 98-qubit trapped-ion quantum computer with all-to-all connectivity,” Nature, vol. 655, no. 8121, pp. 81–86, Jun. 2026, doi: 10.1038/s41586-026-10676-4. arXiv:2511.05465. [D]
  4. [102] A. C. Hughes et al., “Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-state cooling,” arXiv:2510.17286, Oct. 2025. [D]
  5. [110] S. A. Moses et al., “A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor,” Phys. Rev. X, vol. 13, Art. no. 041052, Dec. 2023, doi: 10.1103/PhysRevX.13.041052. arXiv:2305.03828. [D]
  6. [118] Quantinuum, “Quantinuum Unveils Accelerated Roadmap to Achieve Universal, Fully Fault-Tolerant Quantum Computing by 2030,” Sep. 10, 2024. [Online]. Available: https://www.quantinuum.com/press-releases/quantinuum-unveils-accelerated-roadmap-to-achieve-universal-fault-tolerant-quantum-computing-by-2030 [R]
  7. [125] M. Abdel-Kareem, “Quantum Art Extends Series A to $140M to Scale Trapped-Ion Architecture,” Quantum Computing Report, Apr. 27, 2026. [Online]. Available: https://quantumcomputingreport.com/quantum-art-extends-series-a-to-140m-to-scale-trapped-ion-architecture/ [P]
  8. [129] A. Cordes, “Quantum computing scale-up eleQtron secures €57 million in one of the largest Series A funding rounds worldwide,” eleQtron, May 5, 2026. [Online]. Available: https://eleqtron.com/en/quantum-computing-scale-up-eleqtron-secures-57-million-in-one-of-the-largest-series-a-funding-rounds-worldwide/ [C]
  9. [253] I. Pogorelov et al., “Compact Ion-Trap Quantum Computing Demonstrator,” PRX Quantum, vol. 2, no. 2, Art. no. 020343, Jun. 2021, doi: 10.1103/PRXQuantum.2.020343. arXiv:2101.11390. [D]
  10. [301] US Department of Commerce, Bureau of Industry and Security, “Commerce Control List Additions and Revisions; Implementation of Controls on Advanced Technologies Consistent With Controls Implemented by International Partners,” Federal Register, vol. 89, p. 72926, Sep. 6, 2024. [Online]. Available: https://www.federalregister.gov/documents/2024/09/06/2024-19633/commerce-control-list-additions-and-revisions-implementation-of-controls-on-advanced-technologies [G]
  11. [320] Infineon Technologies AG, “Trapped ion quantum computing.” [Online]. Available: https://www.infineon.com/promo/trapped-ions [C]
  12. [325] M. Malinowski, D. Allcock, and C. Ballance, “How to Wire a 1000-Qubit Trapped-Ion Quantum Computer,” PRX Quantum, vol. 4, no. 4, Art. no. 040313, Oct. 2023, doi: 10.1103/PRXQuantum.4.040313. arXiv:2305.12773. [S]
  13. [375] PatSnap, “Trapped Ion Quantum Computing: Technology Landscape 2026,” Apr. 23, 2026. [Online]. Available: https://www.patsnap.com/resources/blog/rd-blog/trapped-ion-quantum-computing-2026-patsnap-eureka/ [P]
  14. [501] T. Rummler, “In the Mountain West, a quantum computing collaboration announces major results,” Sandia Lab News, Aug. 27, 2026. [Online]. Available: https://www.sandia.gov/labnews/2026/08/27/in-the-mountain-west-a-quantum-computing-collaboration-announces-major-results/ [G]
  15. [576] SkyWater Technology, “SkyWater Technology Reports Fourth Quarter and Full Fiscal Year 2025 Results,” U.S. Securities and Exchange Commission, Feb. 2026. [Online]. Available: https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1819974/000181997426000005/skyt-20251228xex991.htm [G]
  16. [584] IonQ, “IonQ and Sandia National Laboratories Sign MOU to Accelerate Quantum Co-Design for National Security Applications,” Aug. 4, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/news/ionq-and-sandia-national-laboratories-sign-mou-to-accelerate-quantum-co-design-for-national-security-applications [C]
  17. [806] S. Seidelin et al., “Microfabricated Surface-Electrode Ion Trap for Scalable Quantum Information Processing,” Phys. Rev. Lett., vol. 96, no. 25, Art. no. 253003, Jun. 2006, doi: 10.1103/PhysRevLett.96.253003. arXiv:quant-ph/0601173. [D]
  18. [807] M. Brownnutt, M. Kumph, P. Rabl, and R. Blatt, “Ion-trap measurements of electric-field noise near surfaces,” Rev. Mod. Phys., vol. 87, no. 4, pp. 1419–1482, Dec. 2015, doi: 10.1103/RevModPhys.87.1419. arXiv:1409.6572. [D]
  19. [808] J. Labaziewicz et al., “Suppression of Heating Rates in Cryogenic Surface-Electrode Ion Traps,” Phys. Rev. Lett., vol. 100, no. 1, Art. no. 013001, Jan. 2008, doi: 10.1103/PhysRevLett.100.013001. arXiv:0706.3763. [D]
  20. [809] D. A. Hite et al., “100-Fold Reduction of Electric-Field Noise in an Ion Trap Cleaned with In Situ Argon-Ion-Beam Bombardment,” Phys. Rev. Lett., vol. 109, no. 10, Art. no. 103001, Sep. 2012, doi: 10.1103/PhysRevLett.109.103001. arXiv:1112.5419. [D]