→ Quantum Technology Atlasטכנולוגיות · מכונות · ארכיטקטורות · ארגוניםEnglishРусский

ייצור מלכודות יונים (שבבי אלקטרודות משטח; מלכודות להבים תלת-ממדיות בעיבוד שבבי) fab_trap

שבבי אלקטרודות RF/DC מישוריים הכולאים יונים ומסיעים אותם, הבנויים בקווי MEMS או, יותר ויותר, על פרוסות של מפעלי ייצור מסחריים למוליכים למחצה.

ייצור מלכודות יונים (שבבי אלקטרודות משטח; מלכודות להבים תלת-ממדיות בעיבוד שבבי)

fab_trap · שכבה 10 ייצור · הודגם · מאז 2006

מלכודות ממפעלי MEMS/CMOS: Helios, 1,228 אלקטרודות / 273 אותות; שבבי Oxford Ionics ממפעלי מוליכים למחצה סטנדרטיים; SkyWater כמפעל פנימי של IonQ.

תקציר ←

מקורות מרכזיים

[806] S. Seidelin et al., “Microfabricated Surface-Electrode Ion Trap for Scalable Quantum Infor… · 2006
[253] I. Pogorelov et al., “Compact Ion-Trap Quantum Computing Demonstrator,” PRX Quantum, vol. … · 2021
[320] Infineon Technologies AG, “Trapped ion quantum computing.” [Online]. Available: https://ww…
[809] D. A. Hite et al., “100-Fold Reduction of Electric-Field Noise in an Ion Trap Cleaned with… · 2012
[102] A. C. Hughes et al., “Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-sta… · 2025

מרחב התכן — תכונות

(a) זיקת הנושא
טבעי
(b) זמן · שזירה
—
(c) קריאה
—
(d) ניידות
—
(e) בקרה
—
(f) מבנה השגיאה
קוהרנטית / כיול
(g) ייצור
MEMS / מלכודות אלקטרודות משטח

מרחב ההערכה — תכונות מתוארכות

Helios trap → 1,228 electrodes, 273 independent signals (2.8 per qubit)
מגדירה: מסלול הגדלה · 2025-11 · מקור
standard-fab traps → 99.99% 2Q on chips from standard semiconductor fabs
מגדירה: מסלול הגדלה · 2025-10 · מקור

רשומות סטנדרטיות

שיעור התקינות של ההתקנים → לא פורסם · טיפוסי
No trap-chip yield published: Helios gives 1,228 electrodes and 273 independent signals but no fraction of chips or electrodes in spec · 2025-11 · מקור [D] ⓘ
פיזור הפרמטרים → לא פורסם · טיפוסי
No electrode or trap-parameter spread published for microfabricated surface traps; Helios quotes only aggregate gate and memory performance · 2025-11 · מקור [D] ⓘ

בשימוש: 30 מכונות (26 ראשית · 4 חלופית)

↗ כרטיס המרשם שלה · מאמר / מוצר / עיתונות: קישורים שבהם המכונה נזכרת בשמה (הייחוס נבדק ב-20 בספטמבר 2026)

תמונות

כל תמונה מלווה בתיאור של מה שהיא מראה ובשורת הקרדיט שלה.

File:Linear-Paul-trap Schindler NJP15.123012.jpg
A three-panel figure: a photograph of a linear blade Paul trap, plus front and side line drawings of its electrodes. It comes from Schindler, Nigg, Monz and co-authors (NJP 15, 123012, 2013) and shows the trap used in the Blatt group's quantum information experiments in Innsbruck; the endcaps are 5 mm apart and the RF blades 1.6 mm. Radio-frequency voltage on the four blades holds ions radially while the tip electrodes confine them along the axis, lining them up as a string of ion qubits. “Linear-Paul-trap Schindler NJP15.123012” by Philipp Schindler et al., commons.wikimedia.org/wiki/File:Linear-Paul-trap_Schindler_N…, CC BY 3.0 (creativecommons.org/licenses/by/3.0/)
File:Sandia-Thunderbird-trap schematic+cross-section NJP15.093018.svg
A two-panel drawing, not a photograph, of the Sandia Thunderbird surface-electrode ion trap: a top view of the electrodes with a 1 mm scale bar, and a cross-section of the fabricated layer stack. Credited to Emily Mount, Jungsang Kim and co-authors (2013-09-13); the file name cites NJP15.093018. Notice the six-rail layout: inner DC rails (blue), 60 μm wide RF rails, segmented outer DC electrodes for holding and moving ions above the chip, and a slot cut through the silicon under the trap site. “Sandia-Thunderbird-trap schematic+cross-section NJP15.093018” by Emily Mount et al., commons.wikimedia.org/wiki/File:Sandia-Thunderbird-trap_sche…, CC BY 3.0 (creativecommons.org/licenses/by/3.0/)
File:Sandia-surface-junction-ion-trap NJP13.075018.jpg
A scanning electron micrograph of a Sandia surface-electrode ion trap with a Y-shaped junction, with an inset fluorescence image of a chain of 7 trapped ions. It comes from D L Moehring, C Highstrete, D Stick and colleagues (2011), cited as NJP 13 075018. Each trap has 47 independent DC electrodes; the RF electrodes are about 42.5 μm wide with 7 μm gaps. Junctions let ions be shuttled between arms, the key step of the quantum charge-coupled device (QCCD) architecture; notice the 100 µm scale bar. “Sandia-surface-junction-ion-trap NJP13.075018” by D L Moehring, C Highstrete, D Stick, K M Fortier, R Haltli, C Tigges and M G Blain, commons.wikimedia.org/wiki/File:Sandia-surface-junction-ion-…, CC BY SA 3.0 (creativecommons.org/licenses/by-sa/3.0)
fab_trap · layer 10 ייצור · centrality 10.9 · demonstrated · since 2006 · updated 2026-09-30

ייצור מלכודות יונים (שבבי אלקטרודות משטח; מלכודות להבים תלת-ממדיות בעיבוד שבבי)

שבבי אלקטרודות RF/DC מישוריים הכולאים יונים ומסיעים אותם, הבנויים בקווי MEMS או, יותר ויותר, על פרוסות של מפעלי ייצור מסחריים למוליכים למחצה.

Verdict. ניתן להפרכה — אם עד סוף 2027 אף ספק לא יפרסם נתוני חימום או שיעור תקינות ברמת הפרוסה, ייצור המלכודות יישאר מלאכת יד, וסיכון לוח הזמנים של Sol/Apollo יימצא במספר האותות ובזיווד, לא בפיזיקת השערים.

Key references

Λ = מקדם דיכוי השגיאות לכל צעד במרחק הקוד; QBI = DARPA Quantum Benchmarking Initiative (שלב A — רעיון → B — תוכנית מו״פ → C — אימות ותיקוף (V&V) ממשלתיים); G1–G7 = מחלקות היעדים של הדוח (ראו "שחקנים וכלכלה").

זהות ומוצא

מלכודת אלקטרודות משטח פורשת את מלכודת פאול על מישור ליתוגרפי אחד — האלקטרודות זו לצד זו, והיון מוחזק עשרות מיקרומטרים מעליהן — וכך גאומטריית המלכודת הופכת לפריסת מסכה. NIST הדגים אותה ב-2006, כשהחזיק ²⁴Mg⁺ כ-40 µm מעל זהב מישורי ומדד ישירות את קצב החימום D[806]. לצדה שורדת המלכודת התלת-ממדית בעיבוד שבבי: מלכודת Pine של AQT בנויה מארבע אלקטרודות להב ומשתי אלקטרודות קצה, בעיבוד שבבי מטיטניום מצופה זהב, על מחזיק אלומינה; הלהבים מרוחקים 0.57 mm מציר המלכודת D[253]. זוהי השכבה שמתחת לנושא הקיוביט היוני: היא קובעת את מספר האלקטרודות, את גאומטריית האזורים והצמתים ואת כימיית פני השטח שמעליה.
תכונות: זיקת הנושא a = 0.0, טבעית — הנושא שהיא משרתת הוא היון; המלכודת עצמה מיוצרת, אך ייצור מלכודות ב-MEMS הוא ברירת המחדל של הנושאים הטבעיים, ולכן הטכנולוגיה ממוקמת במחצית הטבעית של המפה. ייצור g = ליתוגרפיית MEMS העוברת לקווי ייצור מסחריים של מוליכים למחצה בפרוסות של 6–12 אינץ' C[320].

פיזיקה וגבולות

הרצפה היא רעש שדה אנומלי מפני האלקטרודות, לא הרזולוציה הליתוגרפית. בגובהי יון של 30–3,000 µm הוא יורד בקירוב כ-d⁻⁴ D[807]: הקטנת הגובה בחצי כדי לדחוס אזורים עולה ~16× בחימום. החימום הופך לשגיאת שער, שכן שערי השזירה נשענים על אופן תנועה משותף במשך עשרות עד מאות מיקרו-שניות, והוא מחייב קירור מחדש בין שלבי ההובלה. הרעש הוא שכבה של מולקולות נספחות, לא תכונה נפחית: קירור מלכודות זהב ל-6 K דיכא את החימום ב-~7 סדרי גודל D[808]; הפצצה ביוני ארגון הפחיתה אותו פי 100 במלכודת שכבר הייתה נקייה D[809]. מבנה השגיאה שהקוד רואה הוא קוהרנטי ומתואם — מטען תועה על מרווחים דיאלקטריים יוצר מיקרו-תנועה וסחיפת פאזה המשותפות לאזור שלם, ואלקטרודה מנותקת אחת משביתה את האזור. מה מזיז את הרצפה: אלקטרודות ניוביום, ניקוי בתוך הוואקום, דיאלקטרי ממוגן, וקריוגניקה כברירת מחדל.

מצב ההנדסה העדכני

טבלה
שנה נתון מי תג+מפתח
2006 ²⁴Mg⁺ ~40 µm מעל זהב מישורי; החימום נמדד לראשונה NIST D[806]
2012 הפחתה של 100× ברעש השדה, ניקוי באתרו ביוני ארגון NIST D[809]
2025-10 שגיאת שער דו-קיוביטי 8.4×10⁻⁵, ללא לייזר, שבב ממפעל מסחרי Oxford Ionics D[102]
2025-11 1,228 אלקטרודות, 273 אותות בלתי תלויים, 8 אזורים Quantinuum D[97]

השבב של Helios הוא המלכודת הגדולה ביותר שהוצבה בשטח; רוב הקבוצות עדיין מפעילות מלכודות בהתאמה אישית של עשרות עד ~100 אלקטרודות. איש אינו מפרסם שיעור תקינות, שיעור פגמים או עלות למלכודת, ולכן לשכבה אין מדד איכות ציבורי, והשגיאה הנמדדת נשארת נשלטת בידי חימום, מיקרו-תנועה ועומס כיול, לא בידי פגמים ליתוגרפיים.

ייצור, חומרים ושרשרת האספקה

שתי שושלות. קווי MEMS מחקריים (מתחם MESA של Sandia, GTRI, חדרים נקיים באוניברסיטאות) מניחים זהב או ניוביום על ספיר, על סיליקה מותכת או על צורן מחומצן, בהיקפים של יחידות בודדות G[501]. השינוי המתרחש כעת הוא המעבר לייצור במפעלים מסחריים: פלטפורמת Villach של Infineon מריצה פרוסות של 6–12 אינץ' עם הצמדה אנודית עבור Oxford Ionics, eleQtron C[129], Innsbruck ו-ETH Zurich; אלקטרודות הדור השלישי שלה, מחוץ למישור, מגבירות לפי הטענה את הכליאה ~10×, ולא פורסם עבורן קצב חימום C[320]. Honeywell מייצרת את המלכודות של Quantinuum בייצור פנימי, כולל מלכודת הרשת של Sol R[118]; IonQ סגרה את עסקת SkyWater ב-2026-07-31, לשם תכנון, ייצור וזיווד בקווים אמריקאיים C[19]. Infineon היא נקודת הכשל היחידה: מפעל מסחרי אחד, כמה ספקים, ואף מקור שני לא נזכר. החשיפה לפיקוח על יצוא מתונה — התקנה של BIS מ-2024-09-06 מונה מחשבים קוונטיים (4A906) ואלקטרוניקה לטמפרטורות מתחת ל-4.5 K (3A901), אך אף ECCN אינו נוקב במלכודות G[301].

בקרה, קריאה ועומס הקלט-פלט

המלכודת קובעת את רצפת החיווט עוד לפני שקיים קו אופטי או קו מיקרוגל כלשהו: 273 אותות בלתי תלויים עבור 98 יונים, 2.8 לקיוביט, לכליאה ולהובלה בלבד D[97], וכל אחד מהם הוא ערוץ DAC, מסנן ומעבר ואקום. ביחס הזה 10³ יונים דורשים ~3,000 קווי DC, מעבר למספר מעברי הוואקום המעשי, ו-10⁶ אינם אפשריים בלי מיתוג מתחת למלכודת. המוצא שפורסם הוא מיתוג על השבב: WISE של Oxford Ionics מפעילה 1,000 יונים בקישוריות מלאה מ-~200 מקורות, בלי ששבב נבנה ובלי תקציב פיזור הספק S[325].

תפקיד במחסנית

שכבה זו נמצאת בבסיס כל שלוש ארכיטקטורות היונים הלכודים — QCCD (Quantinuum), מלכודת פאול ליניארית עם מיעון לייזר (IonQ, AQT, Quantum Art P[125]) ושערים אלקטרוניים עם בקרה על השבב (IonQ/Oxford Ionics, eleQtron) — ומספקת את המלכודת לנושא הקיוביט, את גאומטריית הצמתים והרשת, ואת הפסים המוליכים לבקרת מיקרוגל משולבת בשבב. היא מחליפה MEMS בהתאמה אישית בייצור במפעל ייצור, והמחיר משולם בהסמכה לכללי התכנון ול-UHV ובמדידה חוזרת של החימום, לא בפיזיקה. תרומתה לשעון עקיפה וגדולה: שעון נגזר = סכום סבב הסינדרום: שכבות שערים + הובלה + קריאה + איפוס, וההובלה היא 9.0 ms מתוך הסבב של 9.7 ms שנגזר עבור QCCD, לעומת שער של ~70 µs D[97]; במדידה על H2 ההובלה לקחה בממוצע 60% מזמן המעגל D[110] — ולכן מספר האזורים ואיכות הצמתים קונים יותר שעון ממהירות השער. אין משבצת ריקה סמוכה בגרף הטכנולוגיות.

ראיות — כיצד נמדדו המספרים

מספרי האלקטרודות והאותות מדווחים בידי הספקים ולא עברו ביקורת. החימום מתפרסם לכל מלכודת בנקודת פעולה אחת, אף פעם לא כהתפלגות על פני פרוסה או אצווה, ואף ספק אינו חושף שיעור תקינות. השער של 8.4×10⁻⁵ הוא מדידה בשני יונים ללא קירור למצב היסוד, לא ממוצע על פני צי מכונות, ונכון ל-4 בספטמבר 2026 לא שוחזר בידי גורם חיצוני D[102]. לא נמצאה מחלוקת מתוארכת בין ספקים על טענות ייצור.

אף ECCN אינו נוקב במלכודות יונים, ואף חוות דעת מייעצת של BIS אינה ממקמת שבב מלכודת יונים חשוף בתוך 4A906 או מחוצה לו. לא פורסם: שיעור הפגמים והעלות למלכודת, מ-IonQ, מ-Quantinuum, מ-Infineon, מ-AQT או מ-eleQtron, נכון ל-2026-09-04; אם Infineon ייצרה את השבב שמאחורי התוצאה של 8.4×10⁻⁵ — הקשר בין Oxford Ionics ל-Infineon נטען ברמת החברות בלבד; וקצב חימום לאלקטרודות Gen-3 של Infineon היוצאות מהמישור, ולכן השיפור של פי ~10 בכליאה שלהן לא נמדד.

שחקנים וכלכלה

מי.
| ארגון | תפקיד | מדינה | מה בדיוק הם עושים בטכנולוגיה זו | ראיות |
|---|---|---|---|---|
| IonQ | מפתח | ארה״ב | בעלים של בית תכנון מלכודות ושל מפעל ייצור אמריקאי | C[19] |
| Oxford Ionics | מפתח | בריטניה | שבבי מלכודות לשערים אלקטרוניים בקווי ייצור מסחריים | D[102] |
| Infineon Technologies | ספק | אוסטריה | מפעל מסחרי למלכודות, Villach, פרוסות של 6–12 אינץ' | C[320] |
| SkyWater Technology | ספק | ארה״ב | מפעל ייצור אמריקאי, שמונה התקשרויות עם חברות מחשוב קוונטי ב-2025, בבעלות IonQ מאז 2026-07-31 | G[576]C[19] |
| Quantinuum | מפתח | ארה״ב | מפעילה בשטח את המלכודת בת 1,228 האלקטרודות; Sol בתיקוף | D[97] |

כספים.

  • 2025-09-17 · IonQ · מיזוג ורכישה (Oxford Ionics) · $1.075 B · — · נסגר fact
  • 2026-07-31 · IonQ · מיזוג ורכישה (SkyWater) · ~$1.8 B ($15.00 במזומן + 0.4883 מניות IonQ לכל מניה) · — · נסגר C[19]fact
  • 2026-02-25 · SkyWater · תוצאות שנת הכספים 2025 (שהסתיימה ב-2025-12-28) · הכנסות $442.1 M, שולי רווח גולמי GAAP של 19.7%, הכנסות מלקוחות קוונטיים +30% משנה לשנה · הוגש G[576]
  • 2025-11-06 · DARPA · QBI שלב B (IonQ ו-Quantinuum, מתוך אחת-עשרה) · ≤$15 M לכל אחת · הוכרז G[65]fact

שוק ושרשרת אספקה. הציוד המאפשר הוא ציוד הון רגיל של תעשיית המוליכים למחצה ועוד רכיבי UHV, ואף אחד מהם אינו מרוכז; הריכוזיות יושבת במפעל — Infineon כמפעל מסחרי, Honeywell כמפעל פנימי, Sandia למחקר בלבד, ובנוסף מזכר הבנות (MOU) לתכנון משותף בין IonQ ל-Sandia מ-2026-08-04 C[584]. כלכלת היחידה של המלכודות אינה מפורסמת; המספר הקרוב ביותר הוא שולי הרווח הגולמי (GAAP) של SkyWater, 19.7% על הכנסות של $442.1 M בשנת הכספים 2025 G[576]. G3 ו-G4 משלמים על שכבה זו, ו-G7 על מודולים להרכבה במסד.

קניין רוחני ותקנים. הסקירה של PatSnap מ-2026 מונה את משפחות הפטנטים של MIT Lincoln Laboratory למקורות מתח ולפוטוניקה המשולבים בשבב (2016, 2019) ואת האופטיקה הקריוגנית של ETH Zurich, המיוצרת באותו תהליך עם המלכודת (2020), כקניין הרוחני המרכזי של השילוב, בלי ספירה המבודדת לייצור מלכודות P[375]. ארכיטקטורת החיווט המרכזית פורסמה ולא גודרה בפטנטים S[325]; אין התדיינות משפטית ואין תקן קבלה.

מפות דרכים ועמידה בהבטחות. Quantinuum: Sol על מלכודת רשת שייצרה Honeywell (הובטח 2024-09-10 · ל-2027 · בתיקוף נכון ל-2026-09-03) R[118]; Helios סופקה בזמן, ולכן האמינות בכל הנוגע לייצור טובה. IonQ: SkyWater (הובטח 2026-01-26 · לרבעונים השני–השלישי של 2026 · נסגר 2026-07-31) C[19], אבל 10,000 יונים על שבב אחד ב-2027 אינם נשענים על שום נתון שפורסם על חימום או שיעור תקינות של מלכודות דו-ממדיות, ומפת הדרכים של 2020 החטיאה את היעד שלה ל-2026 ב-~40×.

פרשנות אסטרטגית. אם הייצור במפעלי ייצור יעבוד, הגורם המבדל יעבור ממלאכת היד של המלכודות אל אלקטרוניקת הבקרה, הזיווד והקודים. המנצחים: IonQ, שמסירה תלות במפעל ייצור; Quantinuum, שכבר מקבלת אספקה מייצור פנימי; Infineon, שזוכה בנפח של כל השאר. המפסידים: קווי המעבדות הלאומיות מאבדים את המונופול שלהם. איום התחליף אינו מלכודת מתחרה אלא השעון — הייצור אינו יכול לתקן זמן שכבה איטי 10³–10⁵× מזה של מוליכי-העל, אלא אם יכפיל את מספר האזורים. הכוח נמצא בידי המפעל; IonQ קנתה אחד, והיא נושאת את שולי הרווח הגולמי שלו, ~20%.

תחזית ושאלות פתוחות

לאשר או להוריד בדרגה עד סוף 2027: האם מלכודת שיוצרה ב-SkyWater מחזיקה יונים במערכת שסופקה; האם Sol עוברת תיקוף בזמן עם 1,200+ אלקטרודות בדו-ממד; האם מישהו מפרסם שיעור תקינות או התפלגות חימום לכל פרוסה. התרחיש הטוב ביותר ל-2029: פרוסות מלכודות מסחריות עם נתוני קבלה שפורסמו, ומיתוג שמקטין פי חמישה את מספר האותות ליון. התרחיש הגרוע ביותר: מספרי האלקטרודות נתקעים סביב 10³, משום שמעברי הוואקום וערוצי ה-DAC הם החומה, וגאומטריה דו-ממדית צפופה יותר מעלה את החימום די כדי לדחות את Apollo. שאלות פתוחות: האם רשת דו-ממדית שומרת על קצב החימום של המלכודת הליניארית; האם המיתוג יכול לפעול ב-4 K בתוך תקציב פיזור הספק; האם Infineon תישאר מפעל מסחרי.

מקורות
  1. [19] IonQ, “IonQ Completes Acquisition of SkyWater Technology,” Jul. 31, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/news/ionq-completes-acquisition-of-skywater-technology [C]
  2. [65] DARPA, “Stage B selection,” Nov. 6, 2025. [Online]. Available: https://www.darpa.mil/research/programs/quantum-benchmarking-initiative/stage-b-selection [G]
  3. [97] A. Ransford et al., “A 98-qubit trapped-ion quantum computer with all-to-all connectivity,” Nature, vol. 655, no. 8121, pp. 81–86, Jun. 2026, doi: 10.1038/s41586-026-10676-4. arXiv:2511.05465. [D]
  4. [102] A. C. Hughes et al., “Trapped-ion two-qubit gates with >99.99% fidelity without ground-state cooling,” arXiv:2510.17286, Oct. 2025. [D]
  5. [110] S. A. Moses et al., “A Race Track Trapped-Ion Quantum Processor,” Phys. Rev. X, vol. 13, Art. no. 041052, Dec. 2023, doi: 10.1103/PhysRevX.13.041052. arXiv:2305.03828. [D]
  6. [118] Quantinuum, “Quantinuum Unveils Accelerated Roadmap to Achieve Universal, Fully Fault-Tolerant Quantum Computing by 2030,” Sep. 10, 2024. [Online]. Available: https://www.quantinuum.com/press-releases/quantinuum-unveils-accelerated-roadmap-to-achieve-universal-fault-tolerant-quantum-computing-by-2030 [R]
  7. [125] M. Abdel-Kareem, “Quantum Art Extends Series A to $140M to Scale Trapped-Ion Architecture,” Quantum Computing Report, Apr. 27, 2026. [Online]. Available: https://quantumcomputingreport.com/quantum-art-extends-series-a-to-140m-to-scale-trapped-ion-architecture/ [P]
  8. [129] A. Cordes, “Quantum computing scale-up eleQtron secures €57 million in one of the largest Series A funding rounds worldwide,” eleQtron, May 5, 2026. [Online]. Available: https://eleqtron.com/en/quantum-computing-scale-up-eleqtron-secures-57-million-in-one-of-the-largest-series-a-funding-rounds-worldwide/ [C]
  9. [253] I. Pogorelov et al., “Compact Ion-Trap Quantum Computing Demonstrator,” PRX Quantum, vol. 2, no. 2, Art. no. 020343, Jun. 2021, doi: 10.1103/PRXQuantum.2.020343. arXiv:2101.11390. [D]
  10. [301] US Department of Commerce, Bureau of Industry and Security, “Commerce Control List Additions and Revisions; Implementation of Controls on Advanced Technologies Consistent With Controls Implemented by International Partners,” Federal Register, vol. 89, p. 72926, Sep. 6, 2024. [Online]. Available: https://www.federalregister.gov/documents/2024/09/06/2024-19633/commerce-control-list-additions-and-revisions-implementation-of-controls-on-advanced-technologies [G]
  11. [320] Infineon Technologies AG, “Trapped ion quantum computing.” [Online]. Available: https://www.infineon.com/promo/trapped-ions [C]
  12. [325] M. Malinowski, D. Allcock, and C. Ballance, “How to Wire a 1000-Qubit Trapped-Ion Quantum Computer,” PRX Quantum, vol. 4, no. 4, Art. no. 040313, Oct. 2023, doi: 10.1103/PRXQuantum.4.040313. arXiv:2305.12773. [S]
  13. [375] PatSnap, “Trapped Ion Quantum Computing: Technology Landscape 2026,” Apr. 23, 2026. [Online]. Available: https://www.patsnap.com/resources/blog/rd-blog/trapped-ion-quantum-computing-2026-patsnap-eureka/ [P]
  14. [501] T. Rummler, “In the Mountain West, a quantum computing collaboration announces major results,” Sandia Lab News, Aug. 27, 2026. [Online]. Available: https://www.sandia.gov/labnews/2026/08/27/in-the-mountain-west-a-quantum-computing-collaboration-announces-major-results/ [G]
  15. [576] SkyWater Technology, “SkyWater Technology Reports Fourth Quarter and Full Fiscal Year 2025 Results,” U.S. Securities and Exchange Commission, Feb. 2026. [Online]. Available: https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/1819974/000181997426000005/skyt-20251228xex991.htm [G]
  16. [584] IonQ, “IonQ and Sandia National Laboratories Sign MOU to Accelerate Quantum Co-Design for National Security Applications,” Aug. 4, 2026. [Online]. Available: https://www.ionq.com/news/ionq-and-sandia-national-laboratories-sign-mou-to-accelerate-quantum-co-design-for-national-security-applications [C]
  17. [806] S. Seidelin et al., “Microfabricated Surface-Electrode Ion Trap for Scalable Quantum Information Processing,” Phys. Rev. Lett., vol. 96, no. 25, Art. no. 253003, Jun. 2006, doi: 10.1103/PhysRevLett.96.253003. arXiv:quant-ph/0601173. [D]
  18. [807] M. Brownnutt, M. Kumph, P. Rabl, and R. Blatt, “Ion-trap measurements of electric-field noise near surfaces,” Rev. Mod. Phys., vol. 87, no. 4, pp. 1419–1482, Dec. 2015, doi: 10.1103/RevModPhys.87.1419. arXiv:1409.6572. [D]
  19. [808] J. Labaziewicz et al., “Suppression of Heating Rates in Cryogenic Surface-Electrode Ion Traps,” Phys. Rev. Lett., vol. 100, no. 1, Art. no. 013001, Jan. 2008, doi: 10.1103/PhysRevLett.100.013001. arXiv:0706.3763. [D]
  20. [809] D. A. Hite et al., “100-Fold Reduction of Electric-Field Noise in an Ion Trap Cleaned with In Situ Argon-Ion-Beam Bombardment,” Phys. Rev. Lett., vol. 109, no. 10, Art. no. 103001, Sep. 2012, doi: 10.1103/PhysRevLett.109.103001. arXiv:1112.5419. [D]