SEEQC SFQ-controlled 5-qubit system
SEEQC SFQ-controlled 5-qubit system
פרופיל המרשם — הגרסה של המכונה לארכיטקטורה שלה (שדות המרשם באנגלית)
סוג הקיוביט: transmon
מנגנון השער: no entangling gate published under SFQ control; single-qubit charge control by SFQ digital pulse trains
קישוריות: not published
בקרה: Single Flux Quantum digital logic co-located with the qubits at 10 mK; integrated digital demultiplexing so several qubits share one control pathway; ~1 nW per qubit
מיקום הבקרה: SFQ at mK
קריאה: dispersive
ראיה לשער: אין נתון שפורסם
דגלים: 1q only
טכנולוגיות לפי שכבה — התא של המכונה בכל שכבה
| 1 נושא הקיוביט | |
| 2 קידוד | קיוביט פיזי חשוף (ללא קידוד) · ראשית ◌ 🔎 Bare two-level subspace — Computational subspace of an anharmonic oscillator; leakage to |2⟩ is the price. |
| 3 מנגנון השער | — undisclosed — קיים, אך דבר לא פורסם ▣ Fig. S2 (2Q Gate Results); Supp. §I 2Q Calibration and Benchmarking ✅ no entangling gate published under SFQ control; single-qubit charge control by SFQ pulse trains, 1Q >99.5%, peaks >99.9% (Mar 2026) |
| 4 קישוריות והובלה | סריג סטטי של שכנים קרובים · ראשית ▤ Supp. §A Device Design and Fabrication (centre qubit capacitively coupled to 4 outer qubits); Fig. S1 (Experimental Diagram) ✅ connectivity not published; 5-qubit system |
| 5 בקרה | בקרה ספרתית SFQ (4 K / mK) · ראשית ▣ Fig. 1 (RT vs 4K cryo-CMOS vs integrated SFQ control); Fig. 3 (SFQ demultiplexer); Fig. S3 (SFQ Circuit Schematics); §Demultiplexer (DMX) Results; §Power Dissipation ✅ SFQ digital logic co-located with qubits at 10 mK; digital demultiplexing, <1 line per qubit; ~1 nW per qubit; no detectable quasiparticle poisoning (Mar 2026) |
| 6 קריאה | קריאה דיספרסיבית במיקרוגל (+TWPA, מסנן פרסל) · ראשית ▤ Supp. §B Experimental Setup; Fig. S1 (Experimental Diagram) 🔎 dispersive; digital on-die readout is a stated next milestone |
| 7 קוד | |
| 8 מפענח | |
| 9 חיבור בין-מודולי | זיווד מרובה-פיסות במודול אחד (flip-chip, פיסת בקרה בחיבור בליטות) · ראשית ▤ Supp. §A Device Design and Fabrication ✅ flip-chip: 5×5 mm quantum chip bump-bonded (indium on an Al hard stop, 10 µm gap) to a 10×10 mm carrier chip with all passive wiring and SFQ elements; signals couple across the vacuum gap |
| 10 ייצור | ליתוגרפיה של קיוביטים מוליכי-על (צמתי Al/AlOx/Al, חיווט Nb, 300 mm) · ראשית ▤ Supp. §A Device Design and Fabrication (SEEQC SFQuClass Nb process, 1 kA/cm2 JJs, high-kinetic-inductance layer) ✅ |
רשומות סטנדרטיות
קווי בקרה לקיוביט → 1 lines/qubit · best (digital demultiplexing at mK; exact ratio not published)
power ~1e-9 W per qubit at mK · Mar 2026 · מקור
ראיות: ✅ 6 / 10
תמונות
כל תמונה מלווה בתיאור של מה שהיא מראה ובשורת הקרדיט שלה.
