Rigetti Cepheus-1-36Q
Rigetti Cepheus-1-36Q
Профиль реестра — вариант архитектуры у этой машины (поля реестра — на английском)
тип кубита: tunable transmon
механизм вентиля: tunable couplers within chiplets + inter-module couplers; adiabatic CZ
связность: square lattice per chiplet, degree <=4
управление: room-temperature RF
размещение управления: room-temp
считывание: dispersive
свидетельство вентиля: опубликованная цифра (класс источника ещё не помечен)
Технологии по слоям — ячейка машины на каждом слое
| 1 Носитель кубита | |
| 2 Кодирование | «Голый» физический кубит (без кодирования) · основная ◌ 🔎 Bare two-level subspace — Computational subspace of an anharmonic oscillator; leakage to |2⟩ is the price. |
| 3 Механизм вентиля | CZ / iSWAP через перестраиваемый элемент связи · основная ▣ §II.A Design of a floating tunable coupler; Fig. 4 (net qubit-qubit coupling, g=0 point); Fig. 6 (CZ RB on Four-Bump device); §III.C ✅ tunable couplers within chiplets + inter-module couplers; adiabatic CZ ~60 ns (replaced iSWAP); 36-q devices 99.6% median 2Q (Apr 2026 release) |
| 4 Связность / транспорт | Статическая решётка со связью ближайших соседей · основная ▨ 🔎 square lattice per 9-q chiplet, degree ≤4, four chiplets tiled to 36 q |
| 5 Управление | Электроника при комнатной температуре + коаксиальный / гибкий кабель на кубит · основная ▤ §II.B Multi-chip tunable coupler assembly (flux-bias and readout lines integrated into the carrier chip) ✅ room-temperature RF control |
| 6 Считывание | Дисперсионное СВЧ-считывание (+TWPA, фильтр Парселла) · основная ▤ §II.B (one readout resonator per qubit; readout lines routed through the carrier chip) 🔎 dispersive; readout fidelity and T1/T2 not in the release |
| 7 Код | |
| 8 Декодер | |
| 9 Межсоединение | Многокристальные модули / l-couplers (один криостат) · основная ▣ Fig. 1a-c (Bump-Paddle, Bump-Bump, Four-Bump multi-chip coupler designs on a common carrier chip); Fig. 3 (assembled device); Fig. 5 (coherence with indium bumps); §II.B ✅ four 9-q chiplets in one MCM joined by inter-module couplers; median 2Q 99.8% (9 q) → 99.6% (36 q), Apr 2026 |
| 10 Производство | Литография сверхпроводниковых кубитов (переходы Al/AlOx/Al, разводка из Nb, 300 mm) · основная ▤ §II.C Fabrication (qubit chips by standard lithography on high-resistivity Si; indium bump bonding to carrier) ✅ in-house Fab-1 (Fremont); chiplet MCM — (пробел Атласа: ∅G-calib) · альтернатива ▨ ✅ ABAA (alternating-bias assisted annealing) post-fab JJ frequency targeting, 97.4% success (Aug 2024) |
источники: ✅ 6 / 11