Rigetti Cepheus-1-36Q
Rigetti Cepheus-1-36Q
פרופיל המרשם — הגרסה של המכונה לארכיטקטורה שלה (שדות המרשם באנגלית)
סוג הקיוביט: tunable transmon
מנגנון השער: tunable couplers within chiplets + inter-module couplers; adiabatic CZ
קישוריות: square lattice per chiplet, degree <=4
בקרה: room-temperature RF
מיקום הבקרה: room-temp
קריאה: dispersive
ראיה לשער: נתון שפורסם (סוג המקור טרם סומן)
טכנולוגיות לפי שכבה — התא של המכונה בכל שכבה
| 1 נושא הקיוביט | |
| 2 קידוד | קיוביט פיזי חשוף (ללא קידוד) · ראשית ◌ 🔎 Bare two-level subspace — Computational subspace of an anharmonic oscillator; leakage to |2⟩ is the price. |
| 3 מנגנון השער | CZ / iSWAP במצמד בר-כוונון · ראשית ▣ §II.A Design of a floating tunable coupler; Fig. 4 (net qubit-qubit coupling, g=0 point); Fig. 6 (CZ RB on Four-Bump device); §III.C ✅ tunable couplers within chiplets + inter-module couplers; adiabatic CZ ~60 ns (replaced iSWAP); 36-q devices 99.6% median 2Q (Apr 2026 release) |
| 4 קישוריות והובלה | סריג סטטי של שכנים קרובים · ראשית ▨ 🔎 square lattice per 9-q chiplet, degree ≤4, four chiplets tiled to 36 q |
| 5 בקרה | אלקטרוניקה בטמפרטורת החדר + כבל קואקסיאלי/כבל גמיש לכל קיוביט · ראשית ▤ §II.B Multi-chip tunable coupler assembly (flux-bias and readout lines integrated into the carrier chip) ✅ room-temperature RF control |
| 6 קריאה | קריאה דיספרסיבית במיקרוגל (+TWPA, מסנן פרסל) · ראשית ▤ §II.B (one readout resonator per qubit; readout lines routed through the carrier chip) 🔎 dispersive; readout fidelity and T1/T2 not in the release |
| 7 קוד | |
| 8 מפענח | |
| 9 חיבור בין-מודולי | מודולים מרובי-שבבים / מצמדי l (אותו קריוסטט) · ראשית ▣ Fig. 1a-c (Bump-Paddle, Bump-Bump, Four-Bump multi-chip coupler designs on a common carrier chip); Fig. 3 (assembled device); Fig. 5 (coherence with indium bumps); §II.B ✅ four 9-q chiplets in one MCM joined by inter-module couplers; median 2Q 99.8% (9 q) → 99.6% (36 q), Apr 2026 |
| 10 ייצור | ליתוגרפיה של קיוביטים מוליכי-על (צמתי Al/AlOx/Al, חיווט Nb, 300 mm) · ראשית ▤ §II.C Fabrication (qubit chips by standard lithography on high-resistivity Si; indium bump bonding to carrier) ✅ in-house Fab-1 (Fremont); chiplet MCM — (פער אטלס: ∅G-calib) · חלופית ▨ ✅ ABAA (alternating-bias assisted annealing) post-fab JJ frequency targeting, 97.4% success (Aug 2024) |
ראיות: ✅ 6 / 11