QM-One
QM-One
פרופיל המרשם — הגרסה של המכונה לארכיטקטורה שלה (שדות המרשם באנגלית)
סוג הקיוביט: Si-MOS gate-defined electron spin
מנגנון השער: exchange 2Q, ESR/EDSR 1Q
קישוריות: "scalable tile architecture"; degree not published
בקרה: integrated cryo-CMOS on the qubit die; three 19-inch server racks with the dilution refrigerator inside the footprint
מיקום הבקרה: cryo-CMOS on-die
קריאה: rf single-electron-box gate-based reflectometry - 99.2% in under 6 us
ראיה לשער: אין נתון שפורסם
דגלים: count unpublished, לא פורסמו שיעורי שגיאה, המקור לא אושר
טכנולוגיות לפי שכבה — התא של המכונה בכל שכבה
| 1 נושא הקיוביט | ספין בנקודה קוונטית המוגדרת באלקטרודות שער (Si/SiGe, SiMOS, Ge) · ראשית ▣ Fig. 1a (SEM of Si nanowire transistor with split gates); Fig. 3a (wrap-around-gate device) ✅ Si-MOS gate-defined electron spin; delivered system's qubit count not published |
| 2 קידוד | קידוד בספין יחיד (לוס–דיווינצ'נזו) / בספין גרעיני · ראשית ▤ §II Spin-dependent tunneling (single-electron spin up/down in a QD) ✅ bare electron spin-1/2, Loss–DiVincenzo encoding |
| 3 מנגנון השער | |
| 4 קישוריות והובלה | |
| 5 בקרה | בקר CMOS קריוגני (4 K / mK) · ראשית ▨ ✅ integrated cryo-CMOS on the qubit die; three 19-inch server racks with dilution refrigerator inside the footprint (NQCC, Sep 2025) |
| 6 קריאה | המרת ספין-למטען + רפלקטומטריית rf · ראשית ▣ Fig. 1 (device and measurement setup); Fig. 2, Fig. 4 (spin readout fidelity); §II–III; §VI.B ✅ rf single-electron-box gate-based reflectometry, 99.2% in <6 µs (Oakes et al., PRX 13, 011023, 2023) |
| 7 קוד | — none — אין דבר בשכבה זו ▨ 🔎 no code family named in public material; SiQEC FT project and CUDA-Q Logical compilation; nothing on hardware |
| 8 מפענח | |
| 9 חיבור בין-מודולי | פיצול אותות קריוגני למערכי ספינים (פיסת נתב, חיווט תלת-ממדי מוערם) · ראשית ◌ 🔎 on-die fan-out by the integrated cryo-CMOS (inferred from the related 384-qubit chip with integrated cryogenic CMOS control); no fan-out figure published for the delivered system |
| 10 ייצור | מפעל CMOS של 300 mm (ספינים, CMOS קריוגני, חיווט מוליך-על) · ראשית ▤ §VI.A Fabrication details ✅ 300 mm CMOS-compatible commercial foundry process |
רשומות סטנדרטיות
נאמנות QND / הישרדות → 0.992 · best (rf single-electron-box readout in under 6 us)
2023 · מקור
ראיות: ✅ 6 / 11